Немає в наявності
SGT50T65FD1, 50T65FDI, IGBT, TO-3PN, 50A, 650V
SGT50T65FD1 — биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), выполненный по продвинутой технологии Field-Stop Trench. Модель оснащена встроенным диодом с мягким восстановлением и оптимизирована для работы на высоких частотах.
Технические характеристики:
Напряжение коллектор-эмиттер: 650 V
Ток коллектора: 50 A (при 100°C)
Напряжение насыщения: 1.65 V (типовое)
Корпус: TO-247
Особенности: Низкие потери на переключение, высокая стойкость к КЗ.
Мітки: SGT50T65FD1, IGBT, TO-247, силовой транзистор, ремонт инверторов, запчасти Николаев, Океановская 1, Телесервис.
