IGBT транзистор RJP30H2A (360V 35A) для плазменных панелей

RJP30H2A — это специализированный высокоскоростной IGBT-транзистор (БТИЗ) с встроенным диодом, разработанный компанией Renesas. Данный компонент спроектирован для работы в цепях с высокими импульсными токами, что делает его незаменимым в блоках формирования изображения плазменных панелей (PDP).

Основные технические параметры:

Тип транзистора: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor).

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер ($V_{CES}$): 360 В.

Максимальный ток коллектора ($I_C$): 35 А (непрерывный), до 150 А (импульсный).

Напряжение затвор-эмиттер ($V_{GES}$): ±30 В.

Корпус: TO-263 (D2PAK) — для поверхностного монтажа.

Особенности: Сверхбыстрое переключение и низкое напряжение насыщения.