В наявності
Доступно 30 шт.
ME15N10-G — это мощный N-канальный полевой транзистор (MOSFET), выполненный по технологии Trench, что обеспечивает сверхнизкое сопротивление в открытом состоянии ($R_{DS(on)}$) и отличные динамические характеристики. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, DC-DC преобразователях и схемах управления двигателями.
Основные технические характеристики:
Тип канала: N-Channel
Максимальное напряжение сток-исток ($V_{DSS}$): 100 В
Максимальный ток стока ($I_D$): 15 А (при $T_C = 25$°C)
Сопротивление в открытом состоянии ($R_{DS(on)}$): ~75-105 мОм (зависит от напряжения на затворе)
Корпус: TO-252 (D-PAK) для поверхностного монтажа
Особенности: Низкий заряд затвора, высокая скорость переключения.
Мітки: ME15N10-G, MOSFET, N-Channel, TO-252, транзистор, 100V, 15A, Teleservis
